Forskellen mellem PVD og CVD

PVD vs CVD

PVD (Physical Vapor Deposition) og CVD (Chemical Vapor Deposition) er to teknikker, der bruges til at skabe et meget tyndt lag materiale i et underlag; ofte benævnt tynde film. De bruges i vid udstrækning til fremstilling af halvledere, hvor meget tynde lag af n-type og p-type materialer skaber de nødvendige knudepunkter. Den største forskel mellem PVD og CVD er de processer, de anvender. Som du muligvis allerede har trukket fra navnene, bruger PVD kun fysiske kræfter til at afsætte laget, mens CVD bruger kemiske processer.

I PVD forgases et rent kildemateriale via fordampning, anvendelse af højeffekt elektricitet, laserablation og et par andre teknikker. Det forgasede materiale kondenseres derefter på underlagsmaterialet for at skabe det ønskede lag. Der er ingen kemiske reaktioner, der finder sted under hele processen.

I CVD er kildematerialet faktisk ikke rent, da det er blandet med en flygtig forløber, der fungerer som en bærer. Blandingen indsprøjtes i kammeret, der indeholder underlaget og aflejres derefter i det. Når blandingen allerede er klæbet til underlaget, nedbrydes forløberen til sidst og efterlader det ønskede lag af kildematerialet i underlaget. Biproduktet fjernes derefter fra kammeret via gasstrøm. Processen med nedbrydning kan hjælpes eller accelereres ved brug af varme, plasma eller andre processer.

Uanset om det er via CVD eller via PVD, er slutresultatet stort set det samme, da de begge skaber et meget tyndt lag materiale afhængigt af den ønskede tykkelse. CVD og PVD er meget brede teknikker med en række mere specifikke teknikker under dem. De faktiske processer kan være forskellige, men målet er det samme. Nogle teknikker kan være bedre i visse applikationer end andre på grund af omkostninger, lethed og en række andre årsager; således foretrækkes de i dette område.

Resumé:

1. PVD bruger kun fysiske processer, mens CVD primært bruger kemiske processer
2. PVD bruger typisk et rent kildemateriale, mens CVD bruger et blandet kildemateriale